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HM3-6516-9

产品描述IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,PLASTIC
产品类别存储    存储   
文件大小256KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HM3-6516-9概述

IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,PLASTIC

HM3-6516-9规格参数

参数名称属性值
包装说明DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间200 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T24
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.023 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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