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LLSD103A_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.35A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, GLASS, LL-34, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小311KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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LLSD103A_R2_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.35A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, GLASS, LL-34, MINIMELF-2

LLSD103A_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, GLASS, LL-34, MINIMELF-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.35 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.01 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LLSD103A~LLSD103C
SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIES SWITCHING DIODES
VOLTAGE
20 to 40 Volt
CURRENT
0.35 Ampere
FEATURES
• Low Forward Voltage Drop
• Guard Ring Construction for Transient Protection
• Low Reverse Recovery Time
• Low Reverse Capacitance
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
MECHANICAL DATA
Case: Molded Glass MINI MELF
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: See Diagram Below
Approx. Weight: 0.001 ounces, 0.03 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PA RA M E TE R
P e a k Re p e ti ti ve Re ve rs e Vo lta g e
RMS Re ve rs e Vo lta g e
Ma x. A ve ra g e Re c ti fi e d C urr e nt
P e a k F o rwa r d S ur g e C urr e nt, t <0 .3 ms
P o we r D i s s i p a ti o n D e r a te A b o ve 2 5
O
C
Ma xi m um F o r wa rd Vo lta g e , I
F
= 2 0 mA
I
F
= 2 0 0 mA
Ma xi m um Re ve r s e C ur re nt
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te 1 )
Typ i c a l Re ve r s e Re c o ve ry ( No te 2 )
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e
S to ra g e Te m p e r a ture Ra ng e
S YM B OL
V
RRM
V
RM S
I
F ( AV )
I
F S M
P
D
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θJ
A
T
S TG
5@30V
LLSD103A
40
28
LLSD103B
30
21
350
15
400
0 .3 7
0 .7 0
5@20V
50
10
250
- 6 5 to + 1 7 5
O
LLSD103C
20
14
UNITS
V
V
mA
A
mW
V
5@10V
μ
A
pF
ns
C / W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=50mA to I
R
=200mA, R
L
=100Ω
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PAGE . 1
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