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RS1002FL-AU_R1_000A1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小64KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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RS1002FL-AU_R1_000A1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon,

RS1002FL-AU_R1_000A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RS1002FL-AU~RS1010FL-AU
SMALL SURFACE MOUNT FAST DIODES
VOLTAGE
FEATURES
0.075(1.90)
0.067(1.70)
200 to 1000 Volt
CURRENT
1 Ampere
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Ideal for automated placement
• Glass Passivated Chip Junction
• High temperature soldering : 260
O
C / 10 seconds at terminals
• Ultra thin profile package for space constrained utilization
• Acquire quality system certificate : TS16949
• AEC-Q101 qualified
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.115(2.90)
0.106(2.70)
0.145(3.70)
0.137(3.50)
MECHANICAL DATA
• Case : JEDEC SOD-123FL, Molded plastic over passivated junction
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Standard Packaging : 8mm tape (EIA-481)
• Apporx. Weight : 0.0006 ounce, 0.0172 gram
Polarity : Color band denotes cathode end
0.030(0.75)
0.017(0.45)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Rating
Marking code
Maximum repetitve peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Derate above T
C
=110
O
C
Maximum instantaneous forward voltage
Peak forward surge current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum dc reverse current at rated dc blocking voltage
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
4V,1MHz
I
F
=0.5A
I
R
=-1A
I
rr
=-0.25A
0.7A
1A
I
Test
condition
Symbol
-
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
RS1002FL-AU
RS1006FL-AU
RS1008FL-AU
RS1010FL-AU
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.044(1.10)
0.031(0.80)
0.043(1.08)
0.038(0.98)
Units
-
V
V
V
A
R1D
200
140
200
R1J
600
420
600
1
1.15
1.3
30
1
50
9
R1K
800
560
800
R1M
1000
700
1000
F(AV)
V
F
V
FSM
A
I
R
μA
Typical capacitance
C
J
pF
Reverse recovery time
t
rr
150
250
500
nS
Typical thermal resistance junction to ambient (Note1)
R
ΘJA
200
O
C/W
Operating junction and storage temperature range
T
J
,T
STG
-55 to +150
O
C
Note: 1. Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, mini pad.
March 31,2016-REV.06
PAGE . 1
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