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BAW56DWT/R13

产品描述Rectifier Diode, 4 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小110KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BAW56DWT/R13概述

Rectifier Diode, 4 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

BAW56DWT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
配置2 BANKS, COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.715 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量4
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流2.5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
反向测试电压75 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BAS16TW/BAW56DW/BAV70DW/BAV99S
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• High Conductance
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.030(0.75)
0.021(0.55)
0.087(2.20)
0.074(1.90)
0.010(0.25)
100 Volts
POWER
200mWatts
SOT-363
Unit
inch(mm)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363, Pla stic
• Weight: approximately 0.006 grams
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
0.040(1.00)
0.031(0.80)
0.010(0.25)
0.003(0.08)
0.012(0.30)
0.005(0.15)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Marking Code
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Rectified Current (Average),Half Wave Rectification With
Resistive Load and f>50Hz
Peak Forward Surge Current, 1.0
µs
Power Dissipation Derate Above 25
O
C
SYMBOL
-
V
R
V
RM
I
O
I
FS M
P
TOT
V
F
I
R
C
J
T
RR
R
θ
JA
T
J
Fig.48
BAS16TW
16T
BAW56DW
JC
75
100
150
4.0
200
0.715@I
F
=0.001A
0.855@I
F
=0.01A
1.0@I
F
=0.05A
1.25@I
F
=0.15A
0.03
2.5
1.5
4.0
625
-55 to +150
Fig.51
Fig.52
Fig.32
O
BAV70DW
JA
0.044(1.10)
MAX.
BAV99S
JB
0.087(2.20)
0.078(2.00)
0.018(0.45)
0.006(0.15)
UNITS
-
V
V
mA
A
mW
Maximum Forward Voltage
Maximum DC Reverse Current at 25V
75V
Maximum Junction Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Junction Temperature Range
Circuit Figure
V
µA
pF
ns
C/W
O
C
NOTE : 1. Reverse Bias Voltage = 0. f=1MHz
2. I
F
=10mA to I
R
=1mA. V
R
=6V. Load=100Ω
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