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NT2GT72U4NA1BN-4B

产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
产品类别存储    存储   
文件大小397KB,共20页
制造商南亚科技(Nanya)
官网地址http://www.nanya.com/cn
标准
南亚科技股份有限公司以成为最佳DRAM(动态随机存取记忆体)之供应商为目标,强调以服务客户为导向,透过与夥伴们紧密的合作,强化产品的研发与制造,进而提供客户全方位产品及系统解决方案。面对持续成长的利基型DRAM市场,南亚科技除了提供从128Mb到8Gb产品,更持续拓展产品多元化。主要的应用市场包括数位电视、机上盒(STB)、网通、平板电脑等智慧电子系统、车用及工规等产品。同时,为满足大幅成长的行动与穿戴装置市场需求,南亚科技更专注於研发及制造低功耗记忆体产品。近年来,南亚科技积极经营利基型记忆体市场,专注於低功耗与客制化核心产品线的研发。在制程进度上,更导入20奈米制程技术,致力於生产DDR4和LPDDR4产品,期能进一步提升整体竞争力。南亚科技也将持续强化高附加价值利基型记忆体战线与完美的客户服务,强化本业营运绩效,确保所有股东权益,创造企业永续经营之价值。
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NT2GT72U4NA1BN-4B概述

DDR DRAM Module, 256MX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

NT2GT72U4NA1BN-4B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)266 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
JESD-609代码e4
内存密度19327352832 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

NT2GT72U4NA1BN-4B文档预览

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NT512T72U89A5BD
/
NT512T72U89A2BN
/ NT512T72U89A0BE
NT1GT72U8PA3BD
/
NT1GT72U8PA2BN
/ NT1GT72U8PA0BE
NT2GT72U4NA1BD / NT2GT72U4NA1BN
512MB: 64Mx72 / 1GB: 128Mx72 / 2GB: 256Mx72
Preliminary
240pin DDR2 SDRAM Fully Buffered DIMM
Based on 64Mx8 & 128Mx4 DDR2 SDRAM
Features
• 512MB 64Mx72 DDR2 Fully Buffered DIMM based on 64Mx8
DDR2 SDRAM (NT5TU64M8AE).
• 1GB 128Mx72 DDR2 Fully Buffered DIMM based on 64Mx8
DDR2 SDRAM (NT5TU64M8AE).
• 2GB 256Mx72 DDR2 Fully Buffered DIMM based on 128Mx4
DDR2 SDRAM (NT5TU128M4AE).
• JEDEC Standard 240-pin Fully Buffered ECC Dual In-Line
Memory Module.
• Performance:
PC2-4200
Speed Sort
DIMM
Latency
*
f
CK
t
CK
f
DQ
Clock
Frequency
Clock
Cycle
DQ Burst
Frequency
-4B
4
266
3.75
533
PC2-5300
-3C
5
333
3
667
MHz
ns
MHz
Unit
• Intended for 266MHz and 333MHz applications.
• Inputs and outputs are SSTL-18 compatible.
• V
DD
= 1.8Volt ± 0.1, V
DDQ
= 1.8Volt ± 0.1.
• Host Interface and AMB component industry standard
compliant.
• Support SMBus protocol interface for access to the AMB
configuration registers.
• Detects errors on the channel and reports them to the host
memory controller.
• Automatic DDR2 DRAM Bus Calibration.
• Full Host Control of the DDR2 DRAMs.
• Over-Temperature Detection and Alert.
• MBIST & IBIST Test Functions.
• Transparent Mode for DRAM Test Support.
• Serial Presence Detect (SPD)
• Gold contacts
• RoHS Compliant products
• SDRAMs in 60-ball FBGA Package
Description
NT512T72U89A5BD, NT512T72U89A2BN, NT512T72U89A0BE, NT1GT72U8PA3BD, NT1GT72U8PA2BN, NT1GT72U8PA0BE,
NT2GT72U4NA1BD, and NT2GT72U4NA1BN are Fully Buffered 240-Pin Double Data Rate 2 (DDR2) Synchronous DRAM Dual In-Line
Memory Module (DIMM), organized as one bank 64Mx72 & 128Mx72 and two bank 256Mx72 high-speed memory array. The module
uses nine 64Mx8 (512MB), eighteen 64Mx8 (1GB), and thirty-six 128Mx4 (2GB) DDR2 SDRAMs in FBGA packages. These DIMMs are
manufactured using raw cards developed for broad industry use as reference designs. The use of these common design files minimizes
electrical variation between suppliers. All NANYA DDR2 SDRAM DIMMs provide a high-performance, flexible 8-byte interface in a 5.25”
long space-saving footprint.
The DIMM is intended for use in applications operating up to 333MHz clock speeds and achieves high-speed data transfer rates of up to
667 MHz. Prior to any access operation, the device
latency and burst type/length/operation type must be programmed into the
DIMM by address inputs A0-A13 and I/O inputs BA0 and BA1 using the mode register set cycle.
REV 0.6
02/27/2006
1
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
© NANYA TECHNOLOGY CORP.
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