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ER3DT/R13

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER3DT/R13概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

ER3DT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性METALLURGICALLY BONDED
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ER3A~ER3J
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications
• High temperature metallurgically bonded-no compression
contacts as found in other diode-constructed rectifiers
• Glass passivated junction
• Built-in strain relief
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
50 to 600 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
MECHANICALDATA
• Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Indicated by cathode band
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T
L
= 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 3 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l t h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L E R 3 A E R 3 B E R 3 C E R 3 D E R 3 E E R 3 G E R 3 J U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
J L
T
J
, T
S T G
0 .9 5
1 .0
200
35
45
O
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
3 .0
100
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1 .2 5
1 .7
V
µ
A
ns
pF
C /
W
C
16
-5 5 to +1 5 0
O
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
STAD-MAR.06.2009
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