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MMBT3904WT/R7

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小139KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBT3904WT/R7概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

MMBT3904WT/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns
Base Number Matches1

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MMBT3904W
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
0.087(2.20)
0.078(2.00)
40 Volts
POWER
150 mWatts
SOT-323
Unit
inch(mm)
• Collector-emitter voltage V
CE
= 40V
• Collector current I
C
= 200mA
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.087(2.20)
0.070(1.80)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-323, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram
• Marking: S1A
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.004(0.10)MAX.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.016(0.40)
0.008(0.20)
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current - Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
40
60
6.0
200
Units
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Max Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
TOT
R
θJA
T
J
T
STG
Value
150
830
-55 to 150
-55 to 150
Units
mW
O
0.004(0.10)MIN.
• NPN epitaxial silicon, planar design
C/W
O
C
C
O
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
May 10.2010-REV.00
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