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MMBT2907AWT/R13

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小154KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBT2907AWT/R13概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

MMBT2907AWT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间(toff)100 ns
最大开启时间(吨)45 ns
Base Number Matches1

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Approve Sheet
Part Number: MMBT2907AW
:
MMBT2907AW
PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
.004(.10)MIN.
60 Volts
POWER
225 mW
SOT-323
Unit: inch (mm)
PNP epitaxial silicon, planar design
Collector-emitter voltage VCE = -60V
Collector current IC = -600mA
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives and with Halogen
Free
.056(1.40)
.047(1.20)
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
Case: SOT-323
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Approx Weight: 0.0048 gram
Device Marking : M7A
.016(.40)
.008(.20)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Symbol
Value
-60
-60
-5.0
-600
.044(1.1)
.035(0.9)
MECHANICAL DATA
Units
V
V
V
mA
V
C E O
V
C B O
V
E B O
I
C
THERMAL CHATACTERISTICS
Parameter
Max Power Dissipation (Note 1)
Storage Temperature
Junction Temperaure
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
Value
225
-55 to 150
-55 to 150
556
O
Units
mW
O
P
T O T
T
S T G
T
J
R
Θ
J A
O
C/W
Note 1 : Transistor mouted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
.087(2.2)
.078(2.0)
C
C
STAD-JUL.13.2006
PAGE . 1
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