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ER2B_R1_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小85KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER2B_R1_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

ER2B_R1_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ER2A~ER2J
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
0.155(3.94)
0.083(2.11)
0.075(1.91)
0.185(4.70)
0.160(4.06)
0.096(2.44)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.220(5.59)
0.200(5.08)
50 to 600 Volts
CURRENT
2 Amperes
• High temperature metallurgically bonded-no compression
contacts as found in other diode-constructed rectifiers
• Glass passivated junction
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.083(2.13)
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Indicated by cathode band
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.0032 ounce, 0.093 gram
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current at T
L
=110
O
C
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 2.0A
Maximum DC Reverse Current T
J
=25
O
C
at Rated DC Blocking VoltageT
J
=100
O
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction capacitance (Note 2)
Typical thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F (A V )
I
F S M
V
F
I
R
0.95
1.0
150
35
25
20
-55 to +150
O
ER2A
50
35
50
ER2B
100
70
100
ER2C
150
105
150
ER2D
200
140
200
2.0
50
ER2E
300
210
300
ER2G
400
280
400
0.130(3.30)
• For surface mounted applications
ER2J
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
1.25
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
O
t
rr
C
J
R
θ
JL
T
J
,T
S T G
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
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