Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BAS16VTB6T/R7

文档预览

BAS16VTB6T/R7: 产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小167KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

BAS16VTB6T/R7概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

BAS16VTB6T/R7规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数	6
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	0.15 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.2 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

BAS16VTB6T/R7文档预览

下载PDF文档

全文
预览

BAS16VTB6

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

VOLTAGE

FEATURES

• Fast switching speed.

• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion

• High Conductance

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

100 Volts

POWER

200mWatts

SOT-563

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-563, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx Weight : 0.003 gram

• Marking : TP

MAXIMUM RATINGS

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.

PARAMETER

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Rectified Current (Average),Half Wave Rectification With

Resistive Load and f>50Hz

Peak Forward Surge Current, 0.001ms

Power Dissipation Derate Above 25

Maximum Junction Capacitance

Maximum Reverse Recovery Time

Maximum Thermal Resistance

Junction Temperature Range

SYMBOL

FS M

TOT

LIMITS

100

150

200

1.5

625

-55 to +150

UNITS

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25

C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.

PARAMETER

SYMBOL

LIMITS

0.715@1mA

0.855@10mA

1@50mA

1.25@150mA

0.03

2.5

UNITS

Maximum Forward Voltage

Maximum DC Reverse Current at 25V

75V

STAD-MAR.14.2008

µA

PAGE . 1

推荐资源

招聘电子机电通信工程师！！！！！！！！！！！！: 要求相同专业毕业十年，工作经验不限，有评了电子、通信、机电和其他相关专业的初级级职称以上，社保可以购买或全职上班，有意向的可以直接联系 Q1658618943 v17724236616 ...; vx17724236616 求职招聘

急急急: 如何使用ADS1.2开发具有图形界面的程式: 我需要在(无WINCE系统)的ARM平台上开发一个具有图形界面的程式，使用ADS1.2开发包，不知道如何实现? 我个人的想法 Turboc中的图形库graphics.lib可以实现相关功能，但不知道如何移植到A ......; xiguangudu1988 嵌入式系统

MBR10100-TO220/TO220F供应: 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:01 编辑 MBR10100-TO220/TO220F 产品类型肖特基型号 MBR10100-TO220/TO220F 品牌华晶 NAMC(耐美）封装形式插件 ......; TGWN123456 消费电子

闲来无事，玩了一下console: 不多说，看视频。实现一下呗。 windows平台，仅依赖c标准库。 354244 ...; 辛昕编程基础

太阳能供电的室内外温湿度系统使用iBeacon协议: S6SAE101A00SA1002 Solar-Powered IoT Device Kit太阳能供电的室内外温湿度系统使用iBeacon协议官方有一个叫EH_Motherboard的例程包含了板载温湿度传感器数据的发送程序路径在C:\Program Files ......; littleshrimp 能源基础设施

如何将TTL电平的USART串口转换为差分传输？: 请教各位大侠，如果将TTL的串口转成差分信号传输，用运放是否可以做到？对信号传输的抗干扰能力是否会提高？ ...; Ablikim 单片机

Waveshare ESP32-P4-ETH 开发板支持以太网和 PoE

WaveshareESP32-P4-ETH是一款紧凑型ESP32-P4开发板，支持以太网和PoE，外观与OlimexESP32-P4-DevKit非常相似，只是少了pUEXT接口。不过，我们也介绍过其他支持以太网（及其他功能）的ESP32-P4开发板，例如ESP32-P4-Module-DEV-KIT、ESP32-P4-NANO开发板和GUITIONJC-ESP3...[详细]
聚焦性能与可持续性协同，半导体助力 AI 数据中心爆发式增长

互联网每分钟都在发生着惊人的变化：2.99亿次Teams会议被记录、2.51亿封电子邮件发出、4360万美元在线购物消费、13.89亿次Facebook和InstagramReels被播放……如今，全球数十亿用户的工作、购物、学习、沟通等日常场景已与数据的发送、处理和接收密不可分。这种爆炸式的数据需求正推动AI数据中心快速扩张，而支撑这一切的核心，正是半导体芯片。...[详细]
传言英伟达下一代图形处理器Rubin量产可能推迟

据台湾媒体称，由于重新设计，英伟达的下一代图形处理器Rubin在台积电的量产进度可能会面临延迟。富邦金服分析师ShermanShang在一份研究报告中表示：“我们认为Rubin很可能会被推迟。Rubin的第一个版本已于6月底流片，但英伟达目前正在重新设计该芯片，以便更好地匹配AMD即将推出的MI450。”然而，英伟达否认了Rubin时间表的任何延迟。...[详细]
Yole表示，到2030年，数据中心芯片市场规模将达到5000亿美元

Yole表示，受生成式人工智能、高性能计算和超大规模计算的推动，数据中心半导体市场（涵盖计算、内存、网络和电源）的规模将从2024年的2090亿美元增长到2030年的4920亿美元。GPU占据主导地位，2024年市场规模将达到1000亿美元，到2030年预计将增长一倍以上。市场研究与战略咨询公司YoleGroup预测，GPU的收入将从2024年的1000亿美元增长到2030年的2150亿...[详细]
璞璘交付中国首台半导体级步进纳米压印光刻机，支持＜10nm 线宽

8月5日消息，璞璘科技PRINANO今日宣布其在8月1日成功向一家国内特色工艺客户交付其自主研发的中国首台半导体级步进式纳米压印光刻(NIL)系统PL-SR。璞璘在PL-SR系列设备上成功攻克喷墨涂胶工艺多项技术瓶颈，实现了纳米级的压印膜厚，达到了平均残余层＜10nm、残余层变化＜2nm、压印结构深宽比＞7:1的技术指标，可对应线宽＜10nm的NIL工艺...[详细]
台积电 JASM 就在日第二晶圆厂与熊本县菊阳町签署选址协议

10月24日消息，参考《日本经济新闻》报道，台积电负责在日晶圆厂运营的子公司JASM当地时间今日与熊本县菊阳町政府就第二晶圆厂签署了选址协议。这座晶圆厂位于JASM第一晶圆厂的东侧，主要生产6nm工艺制程逻辑半导体。该晶圆厂建筑面积约为6.9万平方米，将雇佣1700名员工，投资额约为139亿美元（IT之家注：现汇率约合989.16亿元人民币），目标202...[详细]
美光疯狂挖三星、SK海力士墙角 2亿韩元工资招芯片人才

韩国是世界上最大最先进的存储芯片生产国，内存和闪存都是世界第一，这两年来在HBM内存上尤其领先。这当然也引来竞争者的关注，美国的美光公司就在韩国挖墙角了，主要针对三星及SK海力士的芯片工程师，招聘的是经验丰富的人才。既然挖人，给出的待遇就很不错，开出的薪资高达2亿韩元，约合14.1万美元或者100万元人民币，比韩国普通员工的工资高多了。招聘的工作机会尤其跟HBM高度相关，不仅有HBM研发，...[详细]
贸泽电子新品推荐：2025年第三季度新增超过16000个新物料

2025年10月22日–致力于快速引入新产品与新技术的业界知名代理商贸泽电子(MouserElectronics)，首要任务是提供来自1200多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。贸泽上一季度共推出近16500个料号，均可在订单确认后当天发货，其中仅在7月就新增逾11000个。...[详细]
消息称美国批准三星、SK海力士向中国工厂出口芯片制造设备

北京时间12月30日，据路透社报道，知情人士称，美国政府已向三星电子、SK海力士发放了一项年度许可证，允许它们在2026年向其中国工厂出口芯片制造设备。对三星、SK海力士来说，这一许可让其暂时松了一口气。此前，美国在今年早些时候撤销了对一些科技公司的许可证豁免。知情人士称，美国已针对向中国出口芯片制造设备设立了年度审批制度。三星电子、SK海力士和台积电此前曾受益于美国对华芯片相关出口全面限制...[详细]
存储芯片价格飙涨！美光抢产能找上力积电

12月22日消息，在全球存储器持续紧缺、价格快速上涨的背景下，国际大厂正积极寻求产能合作。TechNews报道，继闪迪传出与力积电洽谈后，业界最新消息指出，美光（Micron）也与力积电就产能合作展开协商，使力积电在这一波存储器热潮中成为备受关注的合作对象。据悉，美光希望利用力积电位于铜锣的新建晶圆厂，快速导入自身技术与设备以扩充存储器产能。该厂房已完工且尚有4万至5万片月产能的扩充空间，...[详细]
工信部部长会见AMD CEO苏姿丰：希望继续深耕中国市场

12月18日消息，据“工信微报”公众号消息，日前，工业和信息化部部长李乐成在北京会见美国超威半导体公司（AMD）董事会主席兼首席执行官苏姿丰。双方就加强数字经济、人工智能领域合作等议题进行交流。李乐成表示，中国拥有丰富的数据资源和应用场景，数字技术、人工智能等正快速发展、赋能千行百业。中国将坚定不移推进新型工业化，不断扩大高水平对外开放，为包括AMD在内的外资企业提供更多合作机遇。希望A...[详细]
台积电申请台南科学工业园区特定区用地，消息称将建设一座 2nm 晶圆厂

12月3日消息，根据台湾地区环境部门官网公示，台积电计划于台南科学工业园区特定区（南科特定区）的开发区块A土地内兴建半导体厂房及相关设施，计划基地面积约14.6公顷。台积电表示，此举旨在满足市场对高性能新品及先进计算技术的需求，厚植先进制程技术及强化竞争优势，持续发展先进制程并充分发挥产能群聚效益。此前就有消息指出，台积电拟将在中国台湾地区的2nm工艺先进制程晶圆厂在此前规...[详细]
启芯领航廖鼎鑫：国产 EDA 替代不能依赖情怀，更需要产品实力

在全球半导体产业格局重构与国内芯片自主化浪潮的双重驱动下，EDA作为芯片之母的战略价值愈发凸显。启芯领航历经十年沉淀，完成从事业部到独立公司的蜕变，凭借100%自主研发的硬件验证系统与接口IP两大核心产品线，在EDA/IP行业崭露头角。近日，启芯领航创始人廖鼎鑫系统拆解了企业的技术战略、产品优势与行业思考。启芯领航创始人廖鼎鑫从事业部到独立主体启芯领航的故事始于...[详细]
意法与格罗方德 Crolles 超级晶圆厂项目暂停暴露欧洲半导体政策核心短板

意法半导体（STMicroelectronics）与格罗方德（GlobalFoundries）合作的Crolles超级晶圆厂项目暂停，揭示了欧洲半导体政策的核心弱点：资金一旦锁定，便无法随市场变化灵活调整。2023年6月，欧盟批准法国为该项目提供近30亿欧元国家援助时，这一项目被盛赞为欧洲半导体产业复兴的旗舰工程。然而仅两年后，双方合作陷入停滞，这一状况凸显出，本为支持半导...[详细]
I/O完成关键突破，我国算力核心部件攻克国产化“最后1%”

2月4日，光合组织成员单位灵达发布服务器存储控制与高速网络连接系列国产核心I/O部件。灵达发布的灵可达Linkdata产品采用纯自研架构，在性能与能效方面实现同步提升，打破该类关键部件长期依赖进口的局面。目前，灵可达Linkdata产品已在通用服务器、AI服务器及重点行业应用场景中实现规模化交付。纯自研I/O部件夯实底座能力本次发布的灵可达Linkdata产品覆盖HBA卡...[详细]

小广播

热搜元器件