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FTD2003

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB,共1页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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FTD2003概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

FTD2003规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.2 A
最大漏极电流 (ID)2.2 A
最大漏源导通电阻0.13 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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