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MS16_R2_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小110KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MS16_R2_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

MS16_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MS14~MS120
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
40 to 200 Volts
CURRENT
1 Amperes
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications in order to optimize board space
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• High current capacity ,low V
F
• Lead free in comply with EU RoHS
directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.181(4.60)
0.157(4.00)
0
.
012(0
.
305)
0
.
006(0.152)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
0.208(5.28)
0.188(4.80)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram
0.060(1.52)
0.030(0.76)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive
load.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RM S Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt (S e e F i g ure 1 )
P e a k F o r wa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri m p o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C m e tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 1 A ( No te s 1 )
T
J
=2 5
O
C
S YMB OL
MS 1 4 MS 1 4 A MS 1 5 MS 1 6 M S 1 8 MS 1 9 MS 11 0 M S 11 5 MS 1 2 0
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
0 .7
0 .7 4
50
I
R
T
J
=1 2 5
O
C
R
θJ
L
R
θJ
A
T
J
,T
S TG
-5 5 to
+1 50
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
0.062(1.60)
0.047(1.20)
60
42
60
80
56
80
1
30
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
V
V
V
A
A
0 .8
0.9
V
μA
mA
O
Ma xi mum D C Re ve rs e C ur re nt a t Ra te d D C B lo c k i ng
Vo lta g e
2
5
30
95
-6 5 to + 1 7 5
10
2
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e (No te s 2 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
C / W
O
C
NOTES:
1.Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.
2.Mounted on P.C. Board with 5mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
November 8,2012-REV.05
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