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BC857AW_R1_00001

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BC857AW_R1_00001概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP,

BC857AW_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)110
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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BC856AW ~ BC859CW
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
VOLTAGE
FEATURES
• General purpose amplifier applications
• PNP epitaxial silicon, planar design
• Collector current I
C
= 100mA
• Complimentary (NPN) Devices : BC846AW/BC847AW/BC848AW/
BC849BW Series
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
30/45/65 Volts
POWER
250 mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-323, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0002 ounce, 0.005 gram
Device Marking:
BC856AW=56A
BC856BW=56B
BC857AW=57A
BC857BW=57B
BC857CW=57C
BC858AW=58A
BC858BW=58B
BC858CW=58C
BC859BW=59B
BC859CW=59C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
BC856AW/BW
BC857AW/BW/CW
BC858AW/BW/CW
BC859BW/CW
BC856AW/BW
BC857AW/BW/CW
BC858AW/BW/CW
BC859BW/CW
BC856AW/BW
BC857AW/BW/CW
BC858AW/BW/CW
BC859BW/CW
Symbol
Value
-65
-45
-30
-30
-80
-50
-30
-30
6
6
-5
-5
-100
250
-55 to 150
-55 to 150
Units
Collector - Emitter Voltage
V
CEO
V
Collector - Base Voltage
V
CBO
V
Emitter - Base Voltage
V
EBO
I
C
P
TOT
T
STG
T
J
V
Collector Current - Continuous
Max. Power Dissipation (Note 1)
Storage Temperature Range
Junction Temperature Range
mA
mW
O
O
C
C
Note : 1. Transistor mounted on FR-5 board 1 x 0.75 x 0.062 in.
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