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BC857A_R2_00001

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BC857A_R2_00001概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

BC857A_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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BC856 SERIES
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
VOLTAGE
FEATURES
0.120(3.04)
30/45/65 Volt
POWER
330 mWatt
0.006(0.15)MIN.
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
• General Purpose Amplifier Applications
• Collector Current IC = -100mA
• Complimentary (PNP) Devices : BC846/BC847/BC848/BC849
Series
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.110(2.80)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.0003 ounces, 0.008 grams
Marking:
Device Marking:
BC856A=56A
BC856B=56B
BC857A=57A
BC857B=57B
BC857C=57C
BC858A=58A
BC858B=58B
BC858C=58C
BC859B=59B
BC859C=59C
0.004(0.10)
0.000(0.00)
Top View
3
Collector
1
Base
1
Base
2
Emitter
3
Collector
2
Emitter
ABSOLUTE RATINGS
Parameter
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current - Continuous
Max Power Dissipation(Note1)
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
TOT
R
JA
T
J
,T
STG
BC856
-65
-80
BC857
-45
-50
-5
-100
330
375
BC858
-30
-30
BC859
Units
V
V
V
mA
mW
o
C/W
o
-50 to 150
C
NOTES :
1. Transistor mounted on FR-4 board 8 cm .
2
January 23,2014-REV.04
PAGE . 1
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