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SK35T/R7

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小110KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SK35T/R7概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

SK35T/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AB
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SK35T/R7文档预览

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SK32 ~ SK36
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
20 to 60 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Metal to silicon rectifier. majority carrier conduction
• Low power loss,high efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling,
and polarity protection applications
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
Terminals:Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load.
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c ur re nt P e a k Re ve rs e Vo lt a g e
Ma xi m um RM S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lt a g e
Ma xi m um A ve r a g e F o rwa r d C urr e nt a t T
L
= 7 5
O
C
P e a k F o rwa r d S ur g e C ur re nt : 8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne - wa ve
s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi m um F o rwa rd Vo lta g e a t 3 .0 A ( No t e 1 )
Ma xi m um D C Re ve rs e C urre nt T
J
= 2 5
O
C
a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lt a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e ( No t e 2 )
Op e r a ti ng J unc t i o n Te mp e r a ture R a ng e
S to r a g e Te m p e ra t ure Ra ng e
S YM B OL
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
JL
R
θJ
A
T
J
T
S TG
SK32
20
14
20
SK33
30
21
30
SK34
40
28
40
3 .0
100
SK35
50
35
50
SK36
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
A
0 .5 0
0.2
20
20
75
- 5 5 to + 1 2 5
0 .7 5
0.1
20
O
V
mA
C / W
O
- 5 5 to + 1 5 0
- 5 5 to + 1 5 0
C
C
O
NOTES:
1. Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.
2. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
November 2,2010-REV.05
PAGE . 1
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