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EDI88512C85ZI

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CZIP32,
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文件大小543KB,共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI88512C85ZI概述

Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CZIP32,

EDI88512C85ZI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CZIP-T32
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码ZIP
封装等效代码ZIP32,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
Base Number Matches1
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