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CJ78L18(SOT-89)

产品描述Regulator, 1 Output, BIPolar,
产品类别电源/电源管理    电源电路   
文件大小312KB,共2页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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CJ78L18(SOT-89)概述

Regulator, 1 Output, BIPolar,

CJ78L18(SOT-89)规格参数

参数名称属性值
包装说明, TO-243
Reach Compliance Codeunknown
可调性FIXED
标称回动电压 11.7 V
最大绝对输入电压35 V
最大电网调整率0.36%
最大负载调整率0.18%
输出次数1
端子数量3
工作温度TJ-Max125 °C
工作温度TJ-Min
最大输出电流 10.1 A
标称输出电压 118 V
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TO-243
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术BIPOLAR
最大电压容差5%
Base Number Matches1

CJ78L18(SOT-89)文档预览

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
SOT-89 Encapsulate Three-terminal Voltage Regulator
CJ78L18
Three
-terminal positive voltage regulator
SOT-89
1.OUT
FEATURES
Maximum Output current
I
OM:
0.1 A
Output voltage
V
O
:
18 V
Continuous total dissipation
P
D
:
0.50 W
1
2.GND
2
3
3.IN
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Operating temperature range applies unless otherwise specified)
Parameter
Input Voltage
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Parameter
Output voltage
Symbol
Vo
Symbol
V
i
T
OPR
T
STG
Test conditions
25℃
20.5V≤V
i
≤33V,
Io=1mA-40mA
V
i
=26V, Io=1mA-70mA
Load Regulation
Line regulation
Quiescent Current
Quiescent Current Change
Output Noise Voltage
Ripple Rejection
Dropout Voltage
Vo
Vo
Iq
Iq
Iq
V
N
RR
Vd
Vi
22V≤Vi≤33V, Io=40mA
1mA≤I
O
≤40mA,
Vi=26V
10Hz≤f≤100KHz
21.5V≤Vi≤31.5V,f=120Hz
Tj=25℃
3
UTC
CJ78L18
2
Ci
0.33μF
C0
0.1μF
1
Vo
Io=1mA-100mA, V
i
=26V
Io=1mA-40mA, V
i
=26V
20.5V≤Vi≤33V,Io=40mA
22V≤Vi≤33V, Io=40mA
0-125℃
25℃
25℃
25℃
25℃
25℃
0-125℃
0-125℃
25℃
0-125℃
25℃
32
89
36
1.7
Value
35
0-+125
-55-+150
MIN
17.3
17.1
17.1
TYP
18
18
18
27
19
70
64
4.7
Unit
V
MAX
18.7
18.9
18.9
180
90
360
300
6.5
1.5
0.1
UNIT
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
mA
µV
dB
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT SPECIFIED VIRTUAL JINCTION TEMPERATURE
(Vi=26V,Io=40mA,Ci=0.33μF,Co=0.1μF, unless otherwise specified)
TYPICAL APPLICATION
Note: Bypass capacitors are recommended for optimum stability and transient response and should be located as close as
possible to the regulators.
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