Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4KE36C_B0_10001

文档预览

P4KE36C_B0_10001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 29.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小189KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4KE36C_B0_10001在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4KE36C_B0_10001	-	-	点击查看	点击购买

P4KE36C_B0_10001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 29.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

P4KE36C_B0_10001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压	39.6 V
最小击穿电压	32.4 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	29.1 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

P4KE36C_B0_10001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

0.205(5.2)

0.160(4.1)

0.034(0.86)

0.028(0.71)

6.8 to 440 Volts

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

Rating

Peak Power Dissipation at T

=25

C, Tp=1ms (Notes 1)

Typical Thermal Resistance Junction to Air Lead Lengths .375",(9.5mm)

(Notes 2)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on

Rated Load (JECED Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

θJA

PPM

FSM

STG

1.0(25.4)MIN.

0.107(2.7)

0.080(2.0)

Value

400

see Table

-65 to +175

Units

Watts

C/W

Amps

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig. 2.

2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in

(40mm

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 22,2012-REV.04

PAGE . 1

推荐资源

求反相放大器的实际等效输出电阻的计算电路图

KLA-Tencor光学叠对测量系统提升45纳米工艺能力: KLA-Tencor, Inc.近日正式推出Archer 100光学叠对测量系统，这个45纳米的生产工具在设计上可明显增加浸润式显影与未来双图样显影技术的准确性与生产能力。Archer平台已经过全面性的重新设计，可 ......; jfoisdjfi PCB设计

s12 bootloader: 转一篇讲S12系列MCU boorloader的文章，中文的89139...; bluehacker NXP MCU

参考电源: 如何用REF1112在+5V电源的条件下获得+1.25V的参考电源，求电路图！！！！！ ...; Maxwell_CZH LED专区

如何将2G的XD卡模拟成128兆: 我手头有一块2410的开发板，提供1个SMC接口，我用xD-SMC Adapter 将xD卡转接。之前用的64兆的卡可以用，可是卡坏了，现在买了块2G的可是开发板只支持64/128 请问有什么工具可以将我2G的卡 ......; luckyboy 嵌入式系统

砷化镓 (GaAs) 技术固态功率放大器很重要吗？一起讨论一次它的发展趋势吧。: 飞入太空：固态功率放大器助力太空探索这篇文章中指出，NASA 勇气号和机遇号探测车都配备了 Qorvo GaAs 放大器。这两部探测车于 2004 年抵达火星，凭借卓越设计与星际装置的结合，勇气号持 ......; alan000345 无线连接

BLDC霍尔安装位置: BLDC霍尔安装位置...; 安_然模拟电子

小广播

热搜元器件