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PJSD05CFN2T/R7

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小132KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05CFN2T/R7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-2

PJSD05CFN2T/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DFN
包装说明R-PBCC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJSD05CFN2
BI-DIRECTIONAL TVS
This bi-directional TVS has been designed to protect sensitive equipment against ESD and to prevent
Latch-Up events in CMOS circuitry operating at 5Vdc and below.This offers an integrated solution to
protect a single data line where the board space is a premium.
SPECIFICATION FEA
TURES
• 200W Power Dissipation (8/20s Waveform)
• Low Leakage Current, Maximum of 1
A@5Vdc
• IEC 61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.026(0.65)
0.022(0.55)
DFN 2L
0.042(1.05)
0.037(0.95)
Unit
inch(mm)
• Very low Clamping voltage
MECHANICAL DATA
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Case : DFN 2L, Plastic
• Weight:0.00004 ounces, 0.0011 grams
• Marking : BT
0.002(0.05)MAX.
0.013(0.32)
0.008(0.22)
0.014(0.36)
APPLICATIONS
• Video I/O ports protection
• Set Top Boxes
• Portable Instrumentation
PIN NO.1
IDENTIFICATION
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Pulse Power (8/20
s
Waveform)
Maximum Peak Pulse Current (8/20
s
Waveform)
ESD Voltage (HBM)
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te m p e r a ture R a ng e
Symbol
Value
200
18
>25
-55 to +150
Units
W
A
kV
O
P
PP
I
PPM
V
ESD
T
J
,T
S TG
0.022(0.55)
0.017(0.45)
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C)
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20s)
Clamping Voltage (8/20s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
WRM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
J
C
J
I
BR
=1mA
V
R
=5V
I
PP
=5A
I
PP
=15A
0 Vdc Bias f=1MHz
5 Vdc Bias f=1MHz
Conditions
Min.
-
6
-
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
Max.
5.0
-
1.0
11
14
70
60
Units
V
V
A
V
V
pF
pF
REV.0.5-AUG.11.2009
PAGE . 1
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