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PJDLC05W_R2_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 120W, 5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小243KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJDLC05W_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 120W, 5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,

PJDLC05W_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6 V
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散120 W
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJDLC05W
VOLTAGE
5 Volts
POWER
120 Watts
SOT-323
Unit
inch(mm)
ULTRA LOW CAPACITANCE DUAL TRANSIET VOLTAGE
SUPPRESSOR FOR HIGH SPEED DATA LINES
0.004(0.10)MIN.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.087(2.20)
0.070(1.80)
FEATURES
• Improved leakage current, maximum of 20
µA
@ 5Vdc
• Maximum capacitance @ 0 Vdc Bias of 1.2 pF between terminals 1-3 or
terminals 2-3
• IEC61000-4-2 esd 15kV Air, 8kV contact compliance
• IEC61000-4-5 lightning 5 Amps peak, 8x20 usec waveform
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.004(0.10)MAX.
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323, plastic
Terminals: solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Appox. Weight : 0.005 grams
Marking : 2S
3
0.016(0.40)
0.008(0.20)
1
MAXIMUM RATINGS
R ating
Peak Pulse Power 8x20
µ
s Waveform
Peak Pulse C urrent 8x20
µ
s Waveform
ESD Voltage (HBM)
Operati ng Temperature
Storage Temperature
2
Symbol
P
PP
I
PP
V
ESD
T
L
T
STG
Value
120
10
>25
-55 to +125
-55 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
P JD L C 0 5 W
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage
Clamping Voltage
Peak Pulse Current
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
PP
C
J
I
t
=1mA
V
RwM
= 5V,
T = 25
O
C
I
P P
= 1A
t
p
= 8/20
µs
I
P P
= 5A
t
p
= 8/20
µs
t
p
= 8/20
µs
Pin 1 or 2 to pin
3(GND)
V
R
= 0V, f = 1MHZ
6
20
9.8
11
10
Conditions
Minimum
Typical
Maximum
5
Units
V
V
µA
V
V
A
Junction Capacitance
1.2
0.087(2.20)
0.078(2.00)
This transient overvoltage suppressor is intended to prodect sensitive equipment
againset electrostatic discharge events as well to offer a minmum lnsertion loss
in data transmission lines in communications ports used in portable consumer,
computing and networking applicatons. This dual transient voltage suppressor comes
in a single SOT-323, offering borard space reduction, where the application requires it.
U nits
W
A
kV
O
C
C
O
pF
REV.0.1-FEB.5.2009
PAGE . 1
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