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UF2002FCT_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF2002FCT_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

UF2002FCT_00001规格参数

参数名称属性值
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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UF2002FCT SERIES
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
200 to 600 Volts
CURRENT
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• Ultra fast recovery times, high voltage.
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.112(2.85)
0.100(2.55)
0.272(6.9)
0.248(6.3)
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
20 Amperes
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
MECHANCAL DATA
• Case: ITO-220AB full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.055 ounces, 1.561 grams.
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi m um R e c urr e nt P e a k R e ve rs e V o lta g e
Ma xi m um R MS V o lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve r a g e F o r wa rd R e c ti f i e d C urre nt
P e a k F o rwa rd S urg e C urr e nt : 8 . 3 m s s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e r i m p o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o r wa rd Vo lta g e a t 1 0 . 0 A
Ma xi m um D C R e ve rs e C urr e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a te d D C B lo c k i ng Vo lta g e T
J
= 1 2 5
O
C
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te s 1 )
Ma xi m um R e ve rs e Re c o ve ry Ti me (N o t e s 2 )
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e (No te s 3 )
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te m p e ra ture R a ng e
S YM B OL UF 2 0 0 2 F C T UF 2 0 0 3 F C T UF 2 0 0 4 F C T UF 2 0 0 6 F C T
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θJ
C
T
J
,T
S TG
50
7
-5 5 t o + 1 5 0
1 .0
200
140
200
300
210
300
20
150
1 .3 0
1 .0
250
200
100
1.70
400
280
400
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
V
μ
A
pF
ns
O
C / W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Thermal resistance from Junction to ambient and from junction to lead
May 5,2011-REV.00
PAGE . 1
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