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UF102G_B0_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小125KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF102G_B0_00001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

UF102G_B0_00001规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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UF100G SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast recovery for high efficiency.
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
0.205(5.2)
0.160(4.1)
0.034(0.86)
0.028(0.71)
MECHANICAL DATA
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.0118 ounce, 0.336 gram
1.0(25.4)MIN.
Case: Molded plastic, DO-41
0.107(2.7)
0.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e a k Re ve rs e Vo ltag e
Ma xi mum RMS Volta ge
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve rag e F o rwa rd C urre nt .3 75 " (9 .5 mm)
le a d le ng th a t T
A
=5 5
O
C
P e ak F o rwa rd S urg e C urre nt : 8.3m s s i ng le half si ne -
wa ve sup e ri mp o s ed o n rated lo a d(JE D E C metho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .0 A
Ma xi mum D C Reve rs e C urre nt a t Ra te d
D C B loc k i ng Vo lta g e
Typ i c a l Juncti o n C a pa c i ta nce (No te 1 )
Typ i c a l The rma l Re si sta nce (No te 2 )
Ma xi mum Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te 3 )
Op e ra ti ng Junc ti on a nd S to ra g e Temp e ra ture Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 25
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
I
UF 10 0 G
50
35
50
UF 10 1 G
100
70
100
UF 1 02 G
200
140
200
UF 10 4 G
4 00
28 0
4 00
1 .0
30
UF 1 0 6 G
60 0
420
60 0
UF 10 8 G
800
560
800
UF 1 0 1 0G
10 0 0
700
10 0 0
UNITS
V
V
V
A
A
F (AV
)
FSM
V
F
I
1 .0
1 .3
1 .0
150
17
60
50
-5 5 to +15 0
1.7
V
μA
R
C
J
R
θJ
A
t
rr
T
J
,T
S TG
pF
O
C / W
ns
O
1 00
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Reverse Recovery Time I
F
=.5A ,I
R
=1A , I
rr
=.25A
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