Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4SMAJ190A_R1_00001

文档预览

P4SMAJ190A_R1_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 190V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小214KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4SMAJ190A_R1_00001在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4SMAJ190A_R1_00001	-	-	点击查看	点击购买

P4SMAJ190A_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 190V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

P4SMAJ190A_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	243.2 V
最小击穿电压	209 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AC
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压	190 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

P4SMAJ190A_R1_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4SMAJ SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

STAND-OFF VOLTAGE

FEATURES

• Glass passivated junction

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

0.062(1.60)

0.047(1.20)

0.114(2.90)

0.098(2.50)

0.181(4.60)

0.157(4.00)

012(0

305)

006(0.152)

0.008(0.203)

0.002(0.051)

0.208(5.28)

0.188(4.80)

5 to 220 Volts

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Low inductance

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-214AC,Molded plastic over passivated junction

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Standard Packaging: 12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram

0.060(1.52)

0.030(0.76)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types P4SMAJ5.0 thru types P4SMAJ220.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on T

= 25

C (Notes 1,2,5, Fig.1)

Peak Forward Surge Current per Fig.5 (Notes 3)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1) Fig.2

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

FSM

PPM

θJA

STG

Value

400

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5mm

copper pads to each terminal.

3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.

4. Lead temperature at 75

C = T

5. Peak pulse power waveform is 10/1000

6. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or

greater than the DC or continuous peak operating voltage level.

October 25,2012-REV.07

PAGE . 1

推荐资源

MOS管“击穿”的一些情况解析

窃听器检测电路图

采用单个晶体管的80W甚高频（VHF）放大器电路

光电耦合型110V,220V自动转换电路图

多功能超声波加湿器

一款廉价的无线话筒电路

加速度和陀螺仪的区别: 分享一篇 diydrones.com 网站上的文章，介绍为什么在无人机自主导航中需要用到加速度计、陀螺仪、磁罗盘计和GPS等传感器。加速度计用于测量加速度。借助一个三轴加速度计可以测得一个固定平 ......; jmsht33 MEMS传感器

Windows Mobile 5.0，Windows Mobile 60设备，如何在我的程序运行过程中禁用上面的Power电源按钮: Windows Mobile 5.0，Windows Mobile 60设备，如何在我的程序运行过程中禁用上面的Power电源按钮...; 河马嵌入式系统

如何上传图片？ADS调试C和汇编混合编程只显示反汇编内容怎么按照C逐行调试: 就这么多分了如题问题不知道怎么上传图片知道告诉一声...; cgl123456 嵌入式系统

ST32X103做电机控制好得不得了,服务也天下第一好.: ST32X103做电机控制好得不得了,服务也天下第一好....; luogs stm32/stm8

F28027用SPI操作SD卡: 大家好，最近在做一个比赛，需要使用SD卡来记录工作状态下的数据。但是对于文件系统和怎样对于SD卡进行操作不是很了解，所以和大家商讨一下。我先把我的两个函数放上来，大家帮我看看。了、我 ......; liuming759 微控制器 MCU

求大神指点啊？？？: 为什么我的MATLAB用不了...; my_style FPGA/CPLD

Mouser 在其工业应用中心推出楼宇自动化站点

2012年7月11日–半导体与电子元器件业顶尖设计工程资源与全球分销商MouserElectronics,Inc.日前在Mouser.com上发布了新的工业应用培训站点。这个全新的站点旨在帮助设计工程师迅速获得楼宇自动化技术的最新发展和主要趋势，以及配套产品信息。站点分为四个区域：应用、特色产品、文章和资源，Mouser的工业应用培训站点是一个综合性资源，涵盖楼宇自动化的...[详细]
华为收购华赛后首度亮相：整合为两个产品线

7月11日消息，以5.3亿美元收购赛门铁克持有的华赛49%的股权后，原华赛的人员和产品已以新的面目出现，据悉，华赛已成为华为(微博)企业业务群组的一部分，主要构成华为企业业务群组的两个产品线。　　在7月10日的华为一个发布会上，华为宣布推出4款OceanStorT系列存储产品和4款Tecal服务器，而存储和服务器产品正是之前华赛的主要产品。　　华赛是华为和赛门铁克于2008年在香...[详细]
IT老兵程天纵与富士康交集始末

富士康国际公告透露，富士康公司行政总裁程天纵已经向公司表示，由于想花更多时间在家庭方面并改善健康状况，因此有意辞任公司执行董事及行政总裁职位。随后富士康母公司鸿海公告称，公司董事会已经批准了行政总裁程天纵的退休申请，该退休申请将于今年7月31日正式生效。程天纵是台湾IT界的老兵，对产业、管理、运营皆有成熟老到的经验与独特看法。在富士康最困难的2007、2008年期间加入富士康，此番离开，据说...[详细]
ISSCC 2012北京推介会在清华成功召开

2012年国际固态电路会议（ISSCC2012）北京推介会日前在北京清华大学成功召开。ISSCC（InternationalSolid-StateCircuitsConference国际固态电路会议）始于1953年，每年一届，是由IEEE固态电路协会（SSCS）主办的最著名的半导体集成电路国际学术会议。ISSCC也是世界上规模最大、水平最高的固态电路国际会议，历届都有遍及世界各地的数...[详细]
三星电子寻求在中国建立先进芯片生产厂

　　三星电子(SamsungElectronicsCo.,005930.SE)周二表示，该公司正在寻求政府批准其在中国建立一个新的闪存生产厂，以满足智能手机和平板电脑的强劲需求。若计划获得韩国和中国两国政府批准，这将是三星电子在中国的首个半导体制造基地。　　三星此举凸显了资本密集型的内存行业竞争日益加剧的形势。中国较低的生产成本，以及中国政府鼓励外商投资该行业的意愿吸引了许多公司...[详细]
台积电蒋尚义：5年内看不到3D逻辑IC

竹科2011高峰科技论坛今日热闹展开，台积电(2330)资深研发副总蒋尚义也受邀演讲，针对众所瞩目的3DIC何时可以正式开花结果，蒋尚义表示，3DIC在记忆体领域会发展较快，因为技术上较容易，但逻辑IC受限于diesize不同、散热等问题，预计5年内3D逻辑IC都不会发生。蒋尚义指出，台积电目前推出2.5DIC的样品，预计2013年会小量生产，2014年则会达放量阶段。而该产品单价偏...[详细]
德州仪器前亚洲区总裁程天纵任富士康CEO

　　12月1日凌晨消息，富士康国际控股有限公司(HK.2038)发布公告，宣布公司CEO陈伟良因个人原因离职，集团副总裁程天纵接任。　　公告称，陈伟良是因"投放更多时间在家庭方面"而离职的，他仍将留任董事会主席并将继续参与制订及审阅业务计划及策略。　　程天纵现年59岁，曾任中国惠普总裁、德州仪器公司亚洲区总裁等职务，具有丰富的电子及工程行业相关的管理、市场推广、销售及营运经验。2007年...[详细]
日本一半导体销售公司因非法对华出口受调查

共同社消息，东京都品川区一家半导体生产装置销售公司因涉嫌非法向中国出口装有可转用于军事技术的自动控制程序装置，29日受到神奈川县警方根据《外汇及外贸管理法》进行的检查。据警方透露，该公司涉嫌在2010年春季前后未获经济产业相的批准擅自向中国出口了约500台装有自动控制程序的二手半导体生产装置。神奈川县警方认为，使用非法出口的装置在华生产的半导体可能已被用于开发导弹控制装置等用...[详细]
第5届SoCIP 研讨展览会举办日期现已公布

上海，中国–2011年11月28日–SoCIP会议的组织者——S2C宣布SoCIP2012研讨展览会已定于2012年5月22日在上海举办，5月24日在北京举办。SoCIP会议已成为中国领先的SoC/ASIC设计会议之一。整天会议包括技术研讨会和参展商展示，将把世界上最新的SoC/ASIC设计技术带到中国。与会者可与至少15家参展商的专家们面对面交流最新的SoC/ASIC技术发展，获得第...[详细]
Digi-Key 公司扩展了与 Microsemi 的全球经销合作关系

美国明尼苏达州锡夫里弗福尔斯市–Digi-Key公司是一家知名电子元件经销商，被设计师们誉为业内最广泛的电子元件库，提供立即发货服务，近日扩展了与Microsemi公司的经销关系，业务合作覆盖可编程逻辑解决方案，具体包括该公司的SmartFusion®可定制系统单晶片(cSoC)产品、低功率现场可编程门阵列(FPGA)器件以及相关评估板系列。“Digi-Key很高兴能...[详细]
中芯国际彭进：展望未来，助力中国芯

在工业和信息化部的指导下，由中国电子工业科学技术交流中心（工业和信息化部软件与集成电路促进中心）（简称CSIP）和济南市经济和信息化委员会共同主办的2011中国集成电路产业促进大会暨第六届“中国芯”颁奖典礼于12月16日在济南隆重召开。工业和信息化部电子信息司副司长刁石京，济南市副市长李宽端，山东省经济和信息化委员会副主任廉凯，济南市经济和信息化委员会主任王宏志、黄杰副主任，中国半导体行业协...[详细]
科学家发明半导体腐蚀新技术

美国伊利诺伊大学的研究人员发明了一种化学腐蚀新技术，可以在砷化镓（GaAs）中生成图形化阵列。该技术使高端光电装置的制备变得更容易。相关研究论文于11月3日在线发表在《纳米快报》（NanoLetters）上。通常用两种方法来进行半导体腐蚀：湿法腐蚀和干法腐蚀。在光电应用方面，III-V族半导体GaAs是比硅性能更好的半导体材料。大的宽高比结构对高端光电装置应用至关重要，但是Ga...[详细]
TE电路保护部推出装在“塑料盒”里的可复位LVR器件

加利福尼亚州门洛帕克——2012年3月22日——TEConnectivity旗下的业务部门TE电路保护部日前宣布：推出全新的LVB125器件以显著提升其广受欢迎的PolySwitch™LVR额定线电压产品线。LVB125器件采用了一种独特的“塑料盒”封装，可为在装配方式中使用了化合物灌封或密封化合物的产品提供可复位电路保护，可包括严酷环境应用中的电源、变压器、工业控制器和发动机。以往，...[详细]
中芯CEO邱慈云作SEMICON中国开幕演讲

中国内地规模最大、技术最先进的集成电路代工企业--中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK）执行长兼执行董事邱慈云博士，今日出席2012SEMICON中国（由半导体设备和材料协会(SEMI)以及中国电子商会(CECC)共同主办的业界盛会），并作了隆重的开幕主题演讲。邱慈云博士的演讲题为“中国半导体的发展与机遇”，分析了中国快...[详细]
LSI提高2012年一季度业绩预期

LSICorp.(NYSE:LSI)今天发布财测称，公司预期第一季度盈余符合或超过华尔街分析师的平均预期，硬盘驱动市场强於预期的恢复以及动画产品销售的增加提供支撑。公司预期第一季度调整後每股盈余0.12-0.16美元，而分析师的普遍预期为每股盈余0.12美元；公司还上调第一季度营收预期至5.85-6.15亿美元，早前预期为营收5.50-5.90亿美元。...[详细]

小广播

热搜元器件