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PJSMS24C_R1_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 24V V(RWM), Unidirectional, 5 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小199KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSMS24C_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 24V V(RWM), Unidirectional, 5 Element, Silicon,

PJSMS24C_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压26.7 V
击穿电压标称值26.7 V
最大钳位电压40 V
配置COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散350 W
元件数量5
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压24 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJSMS05C SERIES
PENTA TVS/ZENER ARRAY FOR ESD AND LATCH-UP PROTECTION
This 5 TVS/Zener Array family have been designed to Protect Sensitive
Equipment against ESD and to prevent Latch-Up events in CMOS circuitry
operating at 5V, 12V, 15V and 24V. This TVS array offers an integrated
solution to protect up to 5 data lines where the board space is a premium.
SPECIFICATION FEATURES
350W Power Dissipation (8/20µs Waveform)
Low Leakage Current, Maximum of 5µA at rated voltage
Very Low Clamping Voltage
IEC61000-4-2 ESD 20kV air, 15kV Contact Compliance
Industry Standard Surface Mount Package SOT23-6L
100% Tin Matte Finish (RoHS Compliant)
Lead free in comply with EU RoHS
2011/65/EU
directives.
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
1
6
5
4
APPLICATIONS
Personal Digital Assistant (PDA)
SIM Card Port Protection (Mobile Phone)
Portable Instrumentation
Mobile Phones and Accessories
Memory Card Port Protection
1
2
3
SOT23-6L
MAXIMUM RATINGS (Per Device)
Rating
Peak Pulse Power (8/20µs Waveform)
ESD Voltage (HBM)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
P
pp
V
ESD
TJ
T
stg
Device
Marking Code
PJSMS05C
MD5
PJSMS12C
MA2
PJSMS15C
MA5
PJSMS24C
MB4
Value
350
>25
-50 to +125
-50 to +150
Units
W
kV
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Device)
Tj = 25°C
PJSMS05C
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20µs)
Clamping Voltage (8/20µs)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
c
V
c
Cj
Cj
I
BR
= 1mA
V
R
= 5V
I pp = 5A
I pp = 24A
0 Vdc Bias f = 1MHz
Between I/O pins and pin 2
5 Vdc Bias f = 1MHz
Between I/O pins and pin 2
Conditions
Min
Typical
Max
5
Units
V
V
6
5
9.5
13
200
110
µA
V
V
pF
pF
November 02,2010-REV.00
Page 1
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