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PS108R_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小107KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PS108R_R2_10001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41,

PS108R_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PS100R~PS1010R
FAST RECOVERY PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• High current capability.
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 V
olt
CURRENT
1 Ampere
DO-41
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low leakage.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Fast switching for high efficiency.
.034(.86)
.028(.71)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic, DO-41
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0118 ounce, 0.336 gram
1.0(25.4)MIN.
.205(5.2)
.160(4.1)
.107(2.7)
.080(2.0)
MAXIMUM RA
TINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c urre nt P e a k R e ve r s e V o lta g e
M a xi m um R M S Vo lta g e
M a xi m um D C B lo c k i ng V o lta g e
M a xi m um A ve ra g e F o r wa rd C urre nt . 3 7 5 " (9 .5 m m )
le a d le ng th a t T
A
=5 5
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e ri mp o s e d o n r a te d lo a d (J E D E C m e tho d )
M a xi m um F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .0 A
M a xi m um D C Re ve rs e C urre nt a t Ra te d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
M a xi m um R e ve rs e R e c o ve ry Ti m e ( No te 1 )
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te 2 )
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e (No te 3 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YM B OL
P S 1 0 0 R P S 1 0 1 R P S 1 0 2 R P S 1 0 4 R P S 1 0 6 R P S 1 0 8 R P S 1 0 1 0 R
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJ
A
R
θ
JC
T
J
,T
S TG
150
12
11 0
40
-5 5 t o + 1 5 0
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1 .0
30
1 .3
5 .0
500
250
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
μ
A
ns
pF
O
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient at 0.375"(9.5mm) lead length with both leads equally heatsink.
June 28,2010-REV.02
PAGE . 1
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