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GDTSA33A

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, Silicon, DIE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小841KB,共8页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

GDTSA33A概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, Silicon, DIE

GDTSA33A规格参数

参数名称属性值
包装说明R-XXUC-N
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压40.6 V
最小击穿电压36.7 V
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-XXUC-N
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压33 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
Base Number Matches1

GDTSA33A文档预览

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Peak Pulse Power 600W
Glass Passivated TVS
Features
Glass passivated chip
Low inductance
Excellent clamping capability
Very fast response time
600 W peak pulse power capability
with a 10/1000 µs waveform
Compatible with soldering
Devices for Bidirectional Applications
For bi-directional devices, use suffix C or CA
Electrical characteristics apply in both directions.
Process Details
Chip Type
GDTP6KE/SMBJ/P6SMB/SA
PDPW
(pcs/4"wafer)
1,601
A (+1/-2)
80
Size(mil)
B(±2)
C(±2)
13
54
D(±1)
1.5
Surface
Metalization
Ni(0.6~1um)/
Au(0.05um)
Notes: “A”
is 88mil when Breakdown Voltage is 250 Volts and more.
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Peak pulse power dissipation with a 10/1000µs waveform
(see fig. 1)
Peak pulse current with a waveform (see fig. 3 , single
pulse)
Symbol
VALUE
600
(P6KE/SMBJ/P6SMB)
500
(SA)
See Next Table
UNIT
P
PPM
W
I
PPM
A
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
=25℃ per Fig. 2
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