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UF1001F_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF1001F_T0_00001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN

UF1001F_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明ITO-220AC, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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UF1000F~UF1008F
ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
CURRENT
50 to 800 Volt
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• Ultra fast recovery time, high voltage.
• Lead free in ompliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
10 Ampere
MECHANCAL DATA
• Case: ITO-220AC full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.055 ounces, 1.56 grams.
• Marking: Part number
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAM ETER
M aximum Rec ur r ent Peak Re ver s e Volt age
M aximum RM S Vo lt ag e
M aximum DC Bloc k ing Volt ag e
M aximum Ave r age For w ar d Cur r ent at T
C
= 1 00
O
C
Peak For w a r d Sur ge Cur r e nt : 8. 3ms s ing le ha lf s ine -
w a ve s up er impos ed on r at ed lo ad
M aximum For w ar d Volt a ge at 10A
M aximum DC Rever se Cur r e nt at Rat ed DC T
J
= 25
O
C
T
J
= 12 5
O
C
Bloc k ing Volt age
Typic al J unc t ion Cap ac it anc e ( No t e 1)
M aximum Rever se Rec ove r y Time ( Not e 2)
Typic al The r mal Res is t ance ( No t e 3 )
O p er at ing J unc t ion a nd S t o r age Temper at ur e Ra ng e
SY M BO L UF1000 F UF1001F UF1002 F UF1 003F
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θJ
C
T
J
, T
STG
80
50
2
1
1
50 0
50
35
50
100
70
100
200
14 0
200
3 00
210
3 00
10
150
UF1004F
400
280
400
UF1006F
60 0
42 0
60 0
UF10 08F
80 0
56 0
80 0
UNI TS
V
V
V
A
A
1.3
1. 7
V
μA
50
10 0
pF
ns
O
C /
W
O
- 55 t o + 150
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.
2. Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, Irr=0.25A.
3. Thermal resistance from junction to case.
4. Both bonding and chip structure are available.
October 11,2016-REV.05
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