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SB630_T0_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB630_T0_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 30V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

SB630_T0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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SB620 SERIES
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrad voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
20 to 60 Volts
CURRENT
6 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AC molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c urr e nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi m um RM S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o r wa rd C urr e nt a t T
C
= 7 5
O
C
P e a k F o r wa rd S urg e C urr e nt : 8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e ri m p o s e d o n ra te d lo a d ( J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o rwa r d Vo lta g e a t 6 A
Ma xi m um D C Re ve rs e C ur re nt a t Ra te d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e
Op e r a ti ng J unc ti o n Te m p e ra tur e Ra ng e
S to r a g e Te mp e r a ture Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
T
S TG
SB620
20
14
20
SB630
30
21
30
SB640
40
28
40
6
75
SB650
50
35
50
SB660
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
A
0 .5 5
0 .2
15
3
-5 5 to + 1 2 5
0 .7
V
mA
O
C / W
O
-5 5 to + 1 5 0
- 5 5 to + 1 5 0
C
C
O
NOTE:
Both Bonding and Chip structure are available.
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