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ES1DWT/R13

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小95KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ES1DWT/R13概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN

ES1DWT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214AC
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ES1AW SERIES
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
1.0 Ampere
CURRENT
VOLTAGE
50 to 600 Volts
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Superfast recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c ki ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa r d C urr e nt a t T
L
=1 0 5
O
C
P e a k F o r wa rd S ur g e C urr e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf si ne - wa ve
s up e r i mp o s e d o n r a te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .0 A
Ma xi mum D C Re ve rs e C ur re nt a t Ra te d D C
B lo c ki ng Vo lta g e
Ma xi mum Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te 1 )
Typ i c a l J unc ti o n C a p a c i ta nc e ( No te 2 )
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e (No te 3 )
Op e r a ti ng Junc ti o n a nd S to ra g e Te mp e r a ture Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL E S 1 AW
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
50
35
50
E S 1 B W E S 1 C W E S 1 D W E S 1 E W E S 1 GW E S 1 J W UNITS
100
70
100
150
105
150
200
140
200
1 .0
30
0 .9 5
1 .0
10
35
7 .0
35
-5 5 to +1 5 0
O
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1 .2 5
1.7
V
μA
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:
1.Reverse Recovery Tset Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3.8.0mm
2
( .013mm thick ) land areas.
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