NAND Gate, CMOS, PDIP14,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
Reach Compliance Code | unknown |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 |
负载电容(CL) | 50 pF |
逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
最大I(ol) | 0.00002 A |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
输出特性 | OPEN-DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
电源 | 5 V |
Prop。Delay @ Nom-Sup | 30 ns |
认证状态 | Not Qualified |
施密特触发器 | NO |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
Base Number Matches | 1 |
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