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TC59SM808CFTL-70

产品描述IC 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共49页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC59SM808CFTL-70概述

IC 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-54, Dynamic RAM

TC59SM808CFTL-70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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