电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

P6SMBJ7.5CT/R7

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 7.5V V(RWM), Bidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小130KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

P6SMBJ7.5CT/R7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 7.5V V(RWM), Bidirectional

P6SMBJ7.5CT/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codenot_compliant
Base Number Matches1

P6SMBJ7.5CT/R7文档预览

下载PDF文档
P6SMBJ SERIES
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts
STAND-OFF VOLTAGE
5.0 to 220 Volts
Recongnized File # E210467
FEATURES
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Glass passivated junction
• Low inductance
• Typical I
D
less than 1.0µA above 10V
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
• Case: JEDEC DO-214AA,Molded plastic over passivated junction.
• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
• Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types P6SMBJ5.0 thru types P6SMBJ220.
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
Rating
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000uS waveform (Notes 1,2, Fig.1)
Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)
Peak Pulse Current on 10/1000us waveform(Note 1)Fig.3
Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
P P M
I
F S M
I
P P M
R
θ
J A
T
J
,T
S T G
Value
600
100
see Table 1
60
-55 to +150
Units
Watts
Amps
Amps
O
C/W
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
= 25
O
C per Fig. 2.
2. Mounted on 5.0mm
2
(0.13mm thick) land areas.
3. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.
STAD-APR.07.2009
1
PAGE . 1
linux系统外内存DMA的问题
有个问题请教各位大神。有关linux系统外内存DMA的问题。 Cyclone V上的ARM9。linux版本3.12。初步计划在启动参数中设置 mem = 760M 预留760M-1000M的物理内存供FPGA读写数据。 FPGA读写完成 ......
vlah Linux开发
国家IP核标准符合性评测与认证指南
目录 一、 IP 核评测与认证流程......................................................................................................3 二、 IP 核评测与认证类别..................... ......
unbj FPGA/CPLD
英文系统下的FAT盘符建立中文文件的问题
默认语言为中文的系统,已添加了中文语言的支持,在FAT盘符中建立相同文件名长度的文件就会报已有相同文件名的文件,并无法创建。 比如:已建立一个文件夹“已有文件”,再建立“新建文件”, ......
linwei1234 嵌入式系统
汽车业迎接CAN总线应用时代
汽车业迎接CAN总线应用时代 中国电子报 李映 “汽车电子业最大的热点就是网络化。”一位业内人士如此描述汽车网络的应用前景。 “汽车电子业最大的热点就是网络化。”一位业内人士如此描述汽车 ......
aabbcc 汽车电子
利用ADS和Serenade设计S波段压控振荡器
文摘简介设计S波段压控振荡器(VCO)的理论基础,阐述利用Anilent公司的Ans软件进行s波段vco的初步设计过程及如何通过Ansoft公司的Serenade软件快速改进VCO性能‘使其达到实际要求。...
JasonYoo 测试/测量
用H-JTAG烧写2440 spansion Nand Flash方法
用H-JTAG烧写TQ 2440 spansion Nand Flash方法 1、把设备描述文件146432放到C:\Program Files\H-JTAG\FDevice\NAND-FLASH(HJTAG的安装目录下)2、打开H-Flasher,点击Load,找到S3C2440+S34ML ......
小小宇宙 嵌入式系统
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved