Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> LB123TB2

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LB123TB2: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小156KB，共2页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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LB123TB2概述

Transistor

LB123TB2规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

LB123T

FEATURES

High voltage, high speed power switch

Switch regulators

PWM inverter and Motor controls

Solenoid and relay drivers

Deflection circuits

MAXIMUM RATINGS* T

=25℃ unless otherwise noted

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Value

600

400

1.25

150

-55-150

Units

℃

TRANSISTOR (NPN)

TO-126

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

123

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

FE(1)

DC current gain *

FE(2)

FE(3)

Collector-emitter saturation voltage*

CE(sat)

unless

Test

otherwise

conditions

specified)

MIN

TYP

MAX

UNIT

mA, I

A, I

600

V, I

=8V, I

V, I

0.3A

V, I

0.5

V, I

=1A

100

mA, I

100

mA, I

600

400

μA

0.8

0.9

1.2

Base-emitter saturation voltage*

BE(sat)

1.8

*pulse test: pulse width≤380μs, Duty cycle≤2%.

CLASSIFICATION OF h

FE(1)

Rank

Range

Marking

10-17

13-22

18-27

23-32

28-37

33-42

38-47

43-50

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台积电第二季度营收刷新记录

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意法半导体（ST）与哈工大建立联合实验室

中国，2012年7月2日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）与中国名牌重点大学哈尔滨工业大学联合宣布，双方为推动电子技术创新而建立的联合实验室已正式启用。联合实验室设在哈工大电工电子实验教学中心，设立目的是支持大学师生学习、研究和开发创新的电子应用，例如，医疗电子、电源管理和多媒体融合。意...[详细]
面向全球学术界免费开放Xilinx与亚洲第一大学建立联合实验室

该联合实验室将联合赛灵思强大的技术支持，以及香港科技大学在亚洲的影响力，提供先进的设备和精品课程面向全球学术界免费开放。同期，赛灵思还面向约50名来自中国大陆和香港的教授，举行为其两天的赛灵思大学计划免费专题培训。2012年6月29日，中国北京—AllProgrammable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx,Inc.(NASDAQ:XLNX)）宣布6月25日与蝉联Q...[详细]
USB3.0应用高速增长,本土IP解决方案助力SoC设计应对技术挑战

近日，国内规模最大的数模混合IP核提供商四川和芯微电子股份有限公司（IPGoal）正式宣布推出通过USBIF（USBImplementersForum）兼容性测试的USB3.0完整IP解决方案，为目前大陆地区第一家通过该项测试的USB3.0物理层IP产品。作为一家专注于高速高精度数模混合信号集成电路IP核研发、推广和授权的企业，IPGoal也是国内首家掌握USB2.0核心技术并实现批量生...[详细]
赛灵思向清华电子系捐赠300块开发板新生将人手一块

6月27日，赛灵思公司向清华大学捐赠了业界首个专门针对AllProgrammableSoC设计而量身定制的开发套件，并计划明年春季开学前向清华大学新生捐赠300块开发板。据介绍，这是赛灵思大学计划中国大陆第一个基于ARM的Zynq-7000ZedBoard开发套件。“对电子工程专业的学生和老师来说，赛灵思AllProgrammable器件将在其未来的电子工程研究中扮演重要的角色，赛灵...[详细]
华虹NEC与宏力合并已接近尾声

　　12月1日，据国外媒体报道，久拖未决的中国本土第二大和第三大半导体企业--华虹NEC和宏力半导体的合并近日有望加速。两位消息人士透露，这两家公司的合并谈判已近尾声，最快本月内完成。这将是国内半导体业发展的一个里程碑。　　一位消息人士指出，“这个交易快要结束了，可能就在年底。”　　宏力半导体和华虹NEC相关人士谢绝评论。　　专业咨询机构iSupply中国半导体业分析师顾文军指出，“...[详细]
恩智浦推出业内首款采用2x2-mm无引脚DFN封装的中功率晶体管

中国上海，2011年11月30日——恩智浦半导体NXPSemiconductorsN.V.(NASDAQ：NXPI)近日发布业内首款采用2-mmx2-mm3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3(SOT1061)塑料SMD封装，是恩智浦中功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。新型DFN2020-3(SOT1061...[详细]
Mouser参与2012台湾电子科技展望高峰会

2011年11月30日－半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与全球分销商MouserElectronics于11月23日在台北举办的“2012台湾电子科技展望高峰会”上发表演讲，与行业先进分享目前半导体与电子元器件业蓬勃发展的创新小量经销模式，在整合在线的丰沛资源后，将如何强化设计工程师的研发力量，提升产品上市速度。此外，Mouser也在会场同步展示了独特的产品搜寻与广泛的产品选择，让...[详细]
王芹生：“中国芯”代表着创新

在工业和信息化部的指导下，由中国电子工业科学技术交流中心（工业和信息化部软件与集成电路促进中心）（简称CSIP）和济南市经济和信息化委员会共同主办的2011中国集成电路产业促进大会暨第六届“中国芯”颁奖典礼于12月16日在济南隆重召开。工业和信息化部电子信息司副司长刁石京，济南市副市长李宽端，山东省经济和信息化委员会副主任廉凯，济南市经济和信息化委员会主任王宏志、黄杰副主任，中国半导体行业协...[详细]
丁文武：推动集成电路产业做大做强

　　工业和信息化部电子信息司司长丁文武　　过去的2011年，面对复杂多变的国际经济环境、需求放缓的全球半导体市场以及日本地震等不利因素，全行业努力克服各种困难，我国集成电路产业实现了平稳发展，巩固和扩大了应对国际金融危机冲击所取得的成果，基本实现了“十二五”时期的良好开局。　　2011年我国集成电路产业简要回顾　　(一)产业规模增速先高后低，全年实现平稳增长。2011年上半年全行业...[详细]
新型装置捕捉霍金脑电波降低与其沟通难度(图)

　　著名物理学家斯蒂芬-霍金。科学家正在研究一种方式，“入侵”霍金的大脑，以降低霍金与他人沟通的难度　　美国斯坦福大学。iBrain由斯坦福大学的菲利普-劳教授研制。他希望这款装置能够对霍金进行实时监视　　北京时间6月26日消息，美国科学家正在研究一种方式，“入侵”著名物理学家斯蒂芬-霍金的大脑，以降低霍金与他人沟通的难度。目前，这位物理学家正在测试iBrain。这款装置能够捕获霍金...[详细]
上海电子商城上演空城计：三分之二商铺没人租

商业地产泡沫破裂带来的不良后果逐步显现。上海电子商城的业主，如今变成了苦主。　　曾在2006年打出了“华东地区电子品牌第一站，打造华东最大的电子批发采购中心”口号的上海电子商城，如今半壁江山却变得空空如也。　　不少上海电子商城的一期业主表示，他们5年前以高价购入的商铺，从未获得当初开发商承诺的“高收益”，而一些业主甚至5年来颗粒无收。　　另有铺主称，从该项目开盘至今，商铺租金...[详细]
Ramtron二次拒绝塞普拉斯的收购提议

6月18日，Ramtron的董事会审查并拒绝了关于塞朴拉斯提出的收购提议。上周，赛普拉斯曾宣布，将以每股2.48美金收购所有Ramtron公司公开发行的股份，较Ramtron周一收盘价1.81美元溢价37%。这是赛普拉斯第二次提出要收购Ramtron。去年，赛普拉斯就曾提出要以每股3.01美金收购Ramtron，但被Ramtron拒绝了。这次，Ramtron拒绝的理由是“提供的每股2.4...[详细]
中星微第一财季净亏损350万美元

北京时间6月13日晚间消息，中星微(Nasdaq:VIMC)今日发布了截至3月31日的2012财年第一季度财报，净营收为1160万美元，而上年同期净营收为1210万美元。基于非美国通用会计准则，净亏损350万美元，而上年同期净亏损240万美元。　　第一财季业绩：　　净营收为1160万美元，而上年同期净营收为1210万美元，去年第四季财季净营收1640万美元。第一财季营收同比下滑4...[详细]
富昌电子再度荣获“最满意海外授权分销商”殊荣

中国深圳，2012年6月11日——富昌电子（FutureElectronics）荣获《国际电子商情》颁发的“最满意海外授权分销商”奖。近日，2012年电子元器件分销商供应链峰会暨卓越分销商颁奖礼在深圳举行，会上揭晓了2012年度中国电子元器件分销商调查的评选结果。富昌电子赢得“最满意海外授权分销商”奖项，这是富昌电子继2011年获奖后再度蝉联此殊荣。一年一度国际电子商情举办的“年度中国电...[详细]

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