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HPLU3103

产品描述52A, 30V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共6页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HPLU3103概述

52A, 30V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA

HPLU3103规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)240 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)52 A
最大漏极电流 (ID)52 A
最大漏源导通电阻0.019 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)390 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

HPLU3103相似产品对比

HPLU3103 HPLR3103
描述 52A, 30V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 52A, 30V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 240 mJ 240 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 52 A 52 A
最大漏极电流 (ID) 52 A 52 A
最大漏源导通电阻 0.019 Ω 0.019 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 89 W 89 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 390 A 390 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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