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SB2050CT_10001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小97KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB2050CT_10001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

SB2050CT_10001规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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SB2020CT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
20 to 60 Volts
CURRENT
20 Amperes
MECHANCAL DATA
• Case: TO-220AB Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.065 ounces, 1.859grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi mum Re c urr e nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi mum RM S Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve r a g e F o rwa r d C urr e nt a t T
C
=7 5
O
C
P e a k F o rwa r d S ur g e C ur r e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf
s i ne - wa ve s up e r i mp o s e d o n ra te d lo a d
( J E D E C m e tho d )
Ma xi mum F o rwa r d Vo lta g e a t 1 0 A
p e r le g
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
C
T
J
T
S TG
SB2020C T SB 2030CT SB2040C T SB2045C T SB2050C T SB2060C T
UNITS
V
V
V
A
20
14
20
30
21
30
40
28
40
20
45
31
45
50
35
50
60
42
60
200
A
0 .5 5
0 .2
50
2
- 5 5 to + 1 2 5
- 5 5 to + 1 5 0
-5 5 to + 1 5 0
0 .7 5
V
Ma xi mum D C Re ve r s e C ur r e nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e
Op e ra ti ng J unc ti o n Te mp e r a ture Ra ng e
S to r a g e Te m p e r a tur e Ra ng e
mA
O
C / W
O
C
C
O
Note:
Both Bonding and Chip structure are available.
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PAGE . 1
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