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MBRP1060

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, QFN-8
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小472KB,共3页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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MBRP1060概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, QFN-8

MBRP1060规格参数

参数名称属性值
包装说明QFN-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.67 V
JESD-30 代码R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流200 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

MBRP1060文档预览

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Schottky Barrier Rectifier
Reverse Voltage
60
V Forward Current
10
A
MBRP1060
Features
Halogen-free
package has underwriters
Laboratory Flammability Classification 94V-0
Thin package: thickness 1.0mm
● Low forward voltage, high efficiency
Package:
POWER QFN5x6
Mechanical Data
● Case: epoxy, molded
● Weight:
0.1grams
(approximately)
● Finish: all external surfaces corrosion resistant and terminal leads readily solderable
● Lead
temperature
for soldering purpose: 260°C
max.
for 10 sec
3000
pcs/reel
Schematic Diagram
Maximum Ratings & Electrical Characteristics
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
@ T
c
=105°C
Total Device
Test
Conditions
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
Value
60
60
60
10
Unit
V
V
V
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-wave
Superimposed on Rated Load per Diode
Peak repetitive Reverse Current Per Leg at tp=2.0μs ,1KHz
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Maximum Instantaneous Forward Voltage per Leg
Maximum Reverse Current per Leg at Working
Peak Reverse Voltage
I
F
=10A
I
F
=3A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=100°C
I
FSM
200
A
I
RRM
T
J
T
STG
V
F
1.0
- 55 to+150
- 55 to+150
0.67
0.60
200
15
A
°C
°C
V
μA
mA
I
R
Thermal Characteristics
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
Symbol
R
θJC
R
θJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case per Leg
Thermal Resistance, Junction to Ambient per Leg
Typ. (POWER
QFN5x6)
2.5
50
Unit
°C/W
°C/W
Note:
Pulse test:300us pulse width, duty cycle=2%
1/3
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