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71V3577YS85BQGI

产品描述Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
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文件大小629KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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71V3577YS85BQGI概述

Cache SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

71V3577YS85BQGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码BGA
包装说明ROHS COMPLIANT, FBGA-165
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)87 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.035 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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