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M68AW256MN70ZB6

产品描述4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
产品类别存储    存储   
文件大小147KB,共23页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M68AW256MN70ZB6概述

4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM

M68AW256MN70ZB6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明7 X 8 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-48
针数48
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000009 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度7 mm
Base Number Matches1
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