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PJSOT36T/R7

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小169KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSOT36T/R7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

PJSOT36T/R7规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压40 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压36 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJSOT03~PJSOT36
STANDARD CAPACITANCE TVS ARRAY
VOLTAGE
FEATURES
• 500 Watts Peak Pulse Power per Line ( tp=8/20
μs)
• Low Clamping Voltage
• Available for working Voltage Ranging from 3V and 36V
0.120(3.04)
0.110(2.80)
3 ~ 36 Volts
POWER
500 Watts
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-23
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0084 gram
UNIDIRECTIONAL
3
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
0.044(1.10)
0.035(0.90)
1
2
DEVICE CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C unless otherwise specified.
PA RA M E TE R
P e a k P uls e P o we r ( t p = 8 /2 0
μ
s )
O p e ra t i ng Te m p e ra t ure
S t o ra g e Te mp e ra t ur e
F o rwa rd Vo lt a g e @ 1 0 0 m A ,3 0 0
μ
s -S q ua re Wa ve
S ymb o l
P
PP
T
J
T
S TG
V
F
VA L UE
500
-5 0 to + 1 5 0
-5 0 to + 1 5 0
1 .5
Uni t s
Wa tt s
O
C
C
O
Vo lt s
Re ve rs e S tand
-o ff Vo lta ge
Part Number
V
RWM
Ma x. V
PJSOT03
PJSOT05
PJSOT08
PJSOT12
PJSOT15
PJSOT24
PJSOT36
3
5
8
12
15
24
36
Mi nmum
B re ak d o wn
Vo lta ge
@1mA V
B R
V
4
6
8.5
13.3
16.7
26.7
40
Ma x C lampi ng
Volta g e @
8 /2 0
μsec
V
C L
@ I
P P
V
6.5
9.8
13.4
19
24
43
51
P e a k P uls e
C urre nt 8 /2 0
μsec
I
P P
Ma x. A
43
42
34
21
17
12
9
Maximum
Leakage Current
@V
RWM
I
D
μA
125
20
10
2
1
1
1
Off-State
Capacitance,
1MHz Zero dc Bias
Cd
Ma x. p F
850
550
360
200
170
150
80
Marking Code
1A
2A
3A
4A
5A
6A
SA
November 18,2010-REV.00
PAGE . 1
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