电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

P4KE300A_B0_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 256V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 在线购买 详细参数 全文预览

P4KE300A_B0_00001在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
P4KE300A_B0_00001 - - 点击查看 点击购买

P4KE300A_B0_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 256V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41,

P4KE300A_B0_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE
最大击穿电压315 V
最小击穿电压285 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压256 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

P4KE300A_B0_00001文档预览

下载PDF文档
P4KE SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
0.205(5.2)
0.160(4.1)
0.034(0.86)
0.028(0.71)
6.8 to 440 Volts
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic
• Polarity: Color band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types
Electrical characteristics apply in both directions.
Rating
Peak Power Dissipation at T
A
=25
O
C, Tp=1ms (Notes 1)
Typical Thermal Resistance Junction to Air Lead Lengths .375",(9.5mm)
(Notes 2)
Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on
Rated Load (JECED Method) (Notes 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
R
θJA
I
PPM
I
FSM
T
J
,T
STG
1.0(25.4)MIN.
0.107(2.7)
0.080(2.0)
Value
400
60
see Table
40
-65 to +175
Units
Watts
O
C/W
Amps
Amps
O
C
NOTES :
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2.
2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in
2
(40mm
2
).
3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V
RWM
), which should be equal to or greater than the DC
or continuous peak operating voltage level.
November 22,2012-REV.04
PAGE . 1
用电容表测量电容数值时,在测量结果前显示一负号,对调了表针,还是显示负号是啥原因
用电容表测量电容数值时,在测量结果前显示一负号,对调了表针,还是显示负号是啥原因,如下图所示 ...
深圳小花 PCB设计
TI M4处理器
以前主要搞PIC单片机软件,现在想学习TI M4处理器 能给点的建议吗?(最好能推荐款开发板)。...
kebinliu 微控制器 MCU
基于TMS320F28335的光伏并网模拟装置
基于TMS320F28335的光伏并网模拟装置...
taburiss001 微控制器 MCU
有利用单片机实现数据采集之后再串口传输的实例吗?
因为接触单片机应用的时间不常,想看看有没有这方面的实例可以参考的 谢谢啦!!...
叶志红 嵌入式系统
哪位在本本上用并口连接过H-Jtag 调试?
这样的是: 在PC上我跑IAR, 和 ADS 的两个工程文件,都没有问题, 用自己做的调试板+H-JTAG,都能正常 而换到本本上,在H-JTAG时,检测硬件都没问题,但调试时,分别出了问题: 1 在ADS 上 ......
bb_008 嵌入式系统
【环境专家之智能手表】Part3:项目详细设计
1.介绍 本来这次是想设计一款便携设备,让进入隧道或者矿井的人佩戴,由于隧道或者矿井中没有NB或者4G等信号,只能通过自组网来实现信号的传递,那么蓝牙可以说是一个比较好的选择,由于RSL1 ......
PowerWorld 物联网大赛方案集锦
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved