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RN49A1FE(TE85L,F)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小292KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN49A1FE(TE85L,F)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP

RN49A1FE(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

RN49A1FE(TE85L,F)相似产品对比

RN49A1FE(TE85L,F) RN49A1FE(TE85L) RN49A1FE(TPL3,F) RN49A1FE(TPL3)
描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP RN49A1FE(TE85L) PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
Base Number Matches 1 1 1 1
是否Rohs认证 符合 - 符合 不符合
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 - 80 80
元件数量 2 - 2 2
极性/信道类型 NPN/PNP - NPN/PNP NPN/PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.1 W - 0.1 W 0.1 W
表面贴装 YES - YES YES
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON
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