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MMBT918WT/R13

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBT918WT/R13概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

MMBT918WT/R13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.05 A
基于收集器的最大容量3 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)600 MHz
Base Number Matches1

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MMBT918W
VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.004(.10)MIN.
15 Volts
POWER
225 mWatts
SOT-323
Unit: inch (mm)
• NPN silicon
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-323, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 5 mg
• Marking: R1B
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.008(.20)
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
C ollector - Emi tter Voltage
C ollector - Base Voltage
Emi tter - Base Voltage
C ollector C urrent - C onti nuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
15
30
3.0
50
.044(1.1)
.035(0.9)
Uni ts
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Total D evi ce D i ssi pati on (Note1)T
A
=25
O
C
D erate above 25
O
C
Thermal Resi stance , Juncti on to Ambi ent
Juncti on and Storage Temperature
Symbol
P
D
R
θ
J A
T
J ,
T
S T G
Value
225
1.8
556
-55 to 150
Uni ts
mW
mW/
O
C
O
C /W
O
Note 1: FR.4 = 70 x 60 x 1mm.
REV.0.1-FEB.27.2009
.087(2.2)
.078(2.0)
C
PAGE . 1
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