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TB1ST/R13

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC, TDI, MICRO DIP-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小168KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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TB1ST/R13概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC, TDI, MICRO DIP-4

TB1ST/R13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明GREEN, PLASTIC, TDI, MICRO DIP-4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压100 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

TB1ST/R13文档预览

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TB1S~TB10S
MICRO SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE
100~1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
Recongnized File #E139973
FEATURES
• Glass passivated chip junciton
• Ideally Suited for Automatic Assembly
0.264(6.70)
0.248(6.30)
0.179(4.55)
0.167(4.25)
0.028(0.7)
0.023(0.6)
• Save space on printed circuit boards
• Body Thick Very Thin <1.5mm
• Low Forward Voltage Drop
• Surge Overload Rating to 30A peak
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
• Plastic Material:UL Flammability Classification Rating 94V-0
0.006(0.15)
0.002(0.05)
+
0.162(4.10)
0.153(3.90)
0.203(5.15)
0.190(4.85)
• Case : TDI, Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As Marked on case
• Marking: Type number
• Weight: 0.003 ounces, 0.090 grams (Approx.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (If not specified T
A
=25
o
C)
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current (Note 1)
Peak Surge Forward Current (Note 2)
I
2
t Rating for fusing (t<8.3ms)
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
I
2
t
T
J
T
STG
TB1S
100
70
100
TB2S
200
140
200
TB4S
400
280
400
1.0
30
3.735
150
-55 to +150
TB6S
600
420
600
TB8S
800
560
800
TB10S
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
S
o
0.058(1.45)
0.045(1.15)
MECHANICAL DATA
0.028(0.70)
0.019(0.50)
0.012(0.30)
0.007(0.20)
-
C
C
o
NOTE:
1. 60Hz sine wave,R-load,On FR-4 P.C.B.
2. 60Hz sine wave,Non-repetitive 1cycle peak value.
October 31.2011-REV.04
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