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MBR30200CT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR30200CT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR30200CT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MBR3040CT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
40 to 200 Volts
CURRENT
30 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e ak Re ve rse Voltag e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo cki ng Vo lta ge
Ma xi mum A vera g e F o rwa rd C urre nt
P e ak Fo rward S urg e C urre nt
8.3 ms si ng le
ha lf si ne-wa ve sup e ri mp o se d o n ra te d lo a d
(JE D E C metho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta ge at 1 5A p e r leg
Ma xi mum D C Re ve rse C urrent
at Ra te d D C B lo cki ng Voltag e
Typ i cal Therma l Resi sta nce
Op erati ng Juncti o n a nd S to ra ge Te mp e ra ture
Ra ng e
T
J
=25
O
C
T
J
=12 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FS M
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
STG
MB R30 40 CT MB R3 04 5C T MB R30 50 CT MB R30 60 CT MBR3 08 0C T MB R3 09 0C T MB R3 01 00 C T MBR3 01 50C T MB R30 20 0C T
UNITS
V
V
V
A
40
28
40
45
31 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
30
90
63
90
1 00
70
1 00
15 0
10 5
15 0
2 00
140
2 00
275
A
0 .7
0 .7 5
0 .1
20
1 .4
0 .8
0.0 5
20
0.9
V
mA
O
C /W
O
-5 5 to + 1 50
-6 5 to + 1 75
C
Note :
Both Bonding and Chip structure are available.
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