9.5A, 24V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEADLESS, CASE 508AA-01, PLLP4, SO-8, 4 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | LEADLESS, CASE 508AA-01, PLLP4, SO-8, 4 PIN |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | CASE 508AA-01 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 雪崩能效等级（Eas） | 50 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | CURRENT MIRROR WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 24 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 9.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PBCC-N4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 14 A |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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