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PJGBLC08_R2_00001

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小69KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJGBLC08_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

PJGBLC08_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压9.87 V
最小击穿电压8.93 V
击穿电压标称值9.4 V
最大钳位电压13.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散350 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-4
最大重复峰值反向电压8 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJGBLC03~PJGBLC24C SERIES
ULTRA LOW CAPACITANCE TVS ARRAY
VOLTAGE
FEATURES
• IEC 61000-4-2 +15kV air, +8kV Contact
• Unidirectional & Bidirectional Configurations
• Replacement for MLV (0805)
• Protects One Power or I/O Port
• Low Clamping Voltage
• Ultra Low Capacitance : 3pF Maximum
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
3~24 Volts
POWER
350 Watts
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.036(0.90)
0.027(0.70)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.012(0.30)MIN.
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323,Molded plastic over passivated junction
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0041 grams
MAXIMUM RATINGS (@25°C unless otherwise specified)
PARAMETER
Peak Pulse Power (t
P
=8/20
μ
s)-See Figure 1
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
P
PP
T
J
,T
STG
VALUE
350
-55 to +150
UNITS
Watts
o
C
March 15,2013-REV.04
PAGE . 1
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