Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> KTA1024O

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KTA1024O: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小141KB，共3页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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KTA1024O概述

Transistor

KTA1024O规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

KTA1024

TRANSISTOR (PNP)

TO-92L

FEATURES

High Voltage : V

CEO

=-150V.

Low Output Capacitance : Cob=5.0pF(Max.).

High Transition frequency : f

=120MHz (Typ.).

Complementary to KTC3206.

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

-150

-5

-50

150

-55-150

Units

℃

123

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base -emitter voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

Test

conditions

MIN

-150

-5

-0.1

240

-0.8

-0.9

120

4.0

5.0

MHz

TYP

MAX

UNIT

μA

=-10μA,I

=-1mA,I

=-10μA,I

=-150V,I

=-5V,I

=-10mA

=-10mA,I

=-1mA

=-5V,I

=-30mA

=-30V,I

=-10mA

=-10V,I

=0,f=1MHz

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

70-140

120-240

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设计周期长于生命周期，Turnkey升至IP环节

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深圳半导体产业链版图渐趋完整

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中国芯“海思”将成另一个大陆比亚迪

最近大陆市场不断传出支持本土手机晶片设计公司海思科技的声浪，并认为海思才是真正的“中国芯”。由于海思在智慧型手机、3GWCDMA等与联发科多所重叠，不禁让人联想，海思有可能会成为另一个大陆比亚迪。海思是大陆最大网通设备厂商投资成立的手机晶片公司，海思的出现，被视为大陆手机产业的一大突破。大陆产业界认为，山寨机虽为大陆手机产业带来很高的产值，但使用的手机平台大同小异，导致手机产业...[详细]
二季度出货猛增,友达6月合并营收304亿

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LSI 3ware SATA RAID控制器助力Intel SSD

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自去年下半年半导体产业陷入低谷时，千方百计削减成本支出似乎成为业内同行们生存的不二法则。然而，对于有远见的公司来说，加大创新和研发的力度则更加“靠谱”。KLA-Tencor借SEMICONWest2009之际推出了两款新型的晶圆缺陷监测系统2835和Puma9550，以及一款新型的电子束再检测系统eDR-5210，以解决3Xnm/2Xnm节点的缺陷问题。“目前业界正在采用更加...[详细]
AMEC ：中国制造风光无限

每年7月往往是半导体行业新产品发布和评选活动扎堆的时刻，颇有些“期中考”的味道。AMEC凭借其刻蚀设备“PrimoD-RIE”有幸获得“2009年度SI编辑最佳产品奖”和“2009Frost&SullivanAsiaPacificIndustrialTechnologiesAwardastheEmergingSemiconductorCompanyofthe...[详细]
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