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B170LB

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 70V V(RRM), Silicon, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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B170LB概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 70V V(RRM), Silicon, SMB, 2 PIN

B170LB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMB, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
B170LB thru B1100LB
REVERSE VOLTAGE -
70
to
100
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
SURFACE MOUNT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
FEATURES
For surface mounted applications
Metal-Semiconductor junction with guardring
Epitaxial construction
Very Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification
94V-0
For use in low voltage, high frequency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
SMB
SMB
A
DIM.
A
B
B
C
C
D
E
G
H
F
E
D
F
G
H
MIN.
4.06
3.30
1.96
0.15
5.21
0.05
2.01
0.76
MAX.
4.57
3.94
2.21
0.31
5.59
0.20
2.62
1.52
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 0.002 ounces, 0.064 grams
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
B170LB
70
49
70
B180LB
80
56
80
1.0
2.0
50
B190LB
90
63
90
B1100LB
100
70
100
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
@T
L
=120 C
@T
L
=100 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward
Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction
Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
A
@T
J
=25 C
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
V
F
0.75
0.5
15.0
55
15
-55 to +125
-55 to +150
V
mA
pF
C/W
I
R
C
J
R
0JL
T
J
T
STG
C
C
REV. 0, 14-Feb-2001, KSHB07
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Lead.
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