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EDI88512LPA35B32B

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
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制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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EDI88512LPA35B32B概述

Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32

EDI88512LPA35B32B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DFP
包装说明CERAMIC, DFP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; LG-MAX
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDSO-G32
长度21.2852 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.9972 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.8712 mm
Base Number Matches1
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