Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> GBL08

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GBL08: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM),; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小761KB，共2页; 制造商苏州固锝(Good-Ark); 苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商，从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术，形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列，1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料，研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。

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GBL08概述

Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM),

GBL08规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
最大非重复峰值正向电流	150 A
元件数量	4
最高工作温度	125 °C
最大输出电流	4 A
最大重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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GBL005 thru GBL10

Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers

Voltage Range 50 to 1000 Volts Forward Current 4.0 Amperes

Features

Surge overload rating - 150 Amperes peak

Ideal for printed circuit boards

Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-0

Mounting Position: Any

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

Parameter

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified output current

at T

=50

C (Note 1)

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Max. instantaneous forward voltage drop per element at 4.0A

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage per element

Operating and storage temperature range

Notes:

1. Mounting conditions, 0.5” lead length maximum.

Symbols

RRM

RMS

F(AV)

FSM

, T

STG

GBL005

GBL01

100

GBL02

200

140

200

GBL04

400

280

400

4.0

150.0

1.0

10.0

1.0

-55 to +150

GBL06

600

420

600

GBL08

800

560

800

GBL10

1000

700

1000

Units

Volts

Amps

Volts

=25 C

=150

624

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